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Intro ......

 

큰 반도체를 B라고 표시한다. 소자의 기능을 발휘하는 데에 많이 사용되는 대표적인 밴드배열을 그림 1에 도시하였다. . Metal-Organic Vapor Phase Epitzxy (MOVPE) 2. MOVPE 반응의 특징 5. A로 이동한 전자들은 A와 B와의 계면(interface)에 놓여있게 되고 따라서 A의 conduction band energy를 낮추게 된다. 이 때 고농도의 2-DEG는 B에 남아 있는 양전자도 거리적으로 멀리 떨어져 있어 이들에 의한 scattering을 적게 받기 때문에 높은 mobility를 갖게 된다. Heterojunction의 특성 Bandgap energy가 다른 반도체를 서로 접합시키면 이들의 energy band구조에 따라 특유의 conduction band 및 valence band의 밴드배열(line-up)이 형성된다. 이러한 potential well에 있는 전자를 이차원적 전자가스 (2-dimensional electron gas, 2-DEG)라고 한다. MOVPE 반응 4. Heterojunction의 특성 3. 이 구조는 MODFET(혹은 High Electron Mobility Transistor(HEMT),, Selectively Doped Heterostructure Transisotot ......

 

 

Index & Contents

화합반도체

 

moype(화합반도체)

 

 

1.서론

2. Heterojunction의 특성

3. Heterojunction 반도체쌍의 선택

4. 단결정층 성장법(Epitaxy)

 

1. Metal-Organic Vapor Phase Epitzxy (MOVPE)

2. 기본공정 및 장치

3. MOVPE 반응

4. MOVPE 반응의 특징

5. 결정성장 조건의 선택

 

2. Heterojunction의 특성

Bandgap energy가 다른 반도체를 서로 접합시키면 이들의 energy band구조에 따라 특유의 conduction band 및 valence band의 밴드배열(line-up)이 형성된다. 소자의 기능을 발휘하는 데에 많이 사용되는 대표적인 밴드배열을 그림 1에 도시하였다. Bandgap energy가 작은 반도체를 A, 큰 반도체를 B라고 표시한다.

그림 1(a)와 같은 heterojunction의 경우 B에 있는 전자들은 energy가 낮은 A로 이동하고자 한다. 전자들이 이동하면 A에는 양전기를 띤, 격자에 고정되어 있는 원자들을 남기게 되므로 A로 이동하는 전자의 수는 양전기를 띤 원자와 이들 전자와의 전기적(electrostatic)균형에 의해 결정된다. A로 이동한 전자들은 A와 B와의 계면(interface)에 놓여있게 되고 따라서 A의 conduction band energy를 낮추게 된다. 이 결과 A의 conduction band에는 semi-triangular potential well이 형성되고 계면과 수직한 방향으로의 전자의 움직임은 양자화(quantized)된다. 이러한 potential well에 있는 전자를 이차원적 전자가스 (2-dimensional electron gas, 2-DEG)라고 한다. 이 구조는 MODFET(혹은 High Electron Mobility Transistor(HEMT), Two-Dimensional Electron Gas FET(TEGFET), Selectively Doped Heterostructure Transisotot(SDHT) 등으로 불리움)의 가장 기본적인 구조로 NODFET에서는 B를 높은 농도로 doping하여 A로 이동하는 전자의 수를 많게하며 전자를 계면과 평행한 방향으로 움직이게 한다. 이 때 고농도의 2-DEG는 B에 남아 있는 양전자도 거리적으로 멀리 떨어져 있어 이들에 의한 scattering을 적게 받기 때문에 높은 mobility를 갖게 된다. 높은 mobility와 높은 전자농도는 높은 transconductance를 가져와 고속의 switching을 가능하게 한다.

 

 

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