p형에 +의 전압을 가했을 때) - n형 반도체내의 .hwp. - p형 반도체내의 정공은 전원의 +에 의해서 반발 당하고 전원의 -측에서는 끌어당기므로 정공은 p형에서 n형 쪽으로 이동 - 이와 같이, p형에 +의 전압을 가했을 때) - n형 반도체내의 전자는 전원의 -에 의해서 반발 당하고 전원의 +측에서는 끌어당기므로 전자는 n형에서 p형 쪽으로 이동.. 다이오드 (1) 다이오드의 구조와 동작 다이오드 : "+"의 전기를 많이 가지고 있는 p형 물질과 "-"의 전기를 많이 가지고 있는 n형 물질을 접합하여 만든 것으로서, 한쪽 방향으로는 쉽게 전자를 통과시키지만 다른 방향으로는 통과시키지 않는 특성을 가지고 있다. 이들을 접합하여 만든 것을 다이오드라고 하며 pn junction 이라고도 한다. p는 인듐(In)이나 갈륨(Ga)과 같은 물질을 규소에 합성하여 "+"성분(hole:정공)이 많게 만든 물질이고, 순방향 전압에 의해 내부에 형성된 전기장을 약하게 함으로써 정공이나 전자는 이동 하기 쉬워져 p형에서 n형 쪽으로 전류가 흐른다.hwp ......
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[목차]
1. 다이오드
(1) 다이오드의 구조와 동작
다이오드 : `+`의 전기를 많이 가지고 있는 p형 물질과 `-`의 전기를 많이 가지고 있는 n형 물질을 접합하여 만든 것으로서, 한쪽 방향으로는 쉽게 전자를 통과시키지만 다른 방향으로는 통과시키지 않는 특성을 가지고 있다. p는 인듐(In)이나 갈륨(Ga)과 같은 물질을 규소에 합성하여 `+`성분(hole:정공)이 많게 만든 물질이고, n은 비소(As)나 안티몬(Sb)과 같은 물질을 규소에 합성하여 `-`성분(electron:전자)이 많도록 만든 물질이다. 이들을 접합하여 만든 것을 다이오드라고 하며 pn junction 이라고도 한다.
[1] 다이오드의 내부 구조
종류 : pn접합형, 점접촉형
[2] pn 접합과 정류 작용
① 전압을 가하지 않을 때 : pn 접합면에 정공이나 전자의 이동을 방해하는 전기장이 생김. ② 순방향 전압을 가했을 때 (n형에 -, p형에 +의 전압을 가했을 때)
- n형 반도체내의 ...
1. 다이오드
(1) 다이오드의 구조와 동작
다이오드 : "+"의 전기를 많이 가지고 있는 p형 물질과 "-"의 전기를 많이 가지고 있는 n형 물질을 접합하여 만든 것으로서, 한쪽 방향으로는 쉽게 전자를 통과시키지만 다른 방향으로는 통과시키지 않는 특성을 가지고 있다. p는 인듐(In)이나 갈륨(Ga)과 같은 물질을 규소에 합성하여 "+"성분(hole:정공)이 많게 만든 물질이고, n은 비소(As)나 안티몬(Sb)과 같은 물질을 규소에 합성하여 "-"성분(electron:전자)이 많도록 만든 물질이다. 이들을 접합하여 만든 것을 다이오드라고 하며 pn junction 이라고도 한다.
[1] 다이오드의 내부 구조
종류 : pn접합형, 점접촉형
[2] pn 접합과 정류 작용
① 전압을 가하지 않을 때 : pn 접합면에 정공이나 전자의 이동을 방해하는 전기장이 생김. ② 순방향 전압을 가했을 때 (n형에 -, p형에 +의 전압을 가했을 때)
- n형 반도체내의 전자는 전원의 -에 의해서 반발 당하고 전원의 +측에서는 끌어당기므로 전자는
n형에서 p형 쪽으로 이동.
- p형 반도체내의 정공은 전원의 +에 의해서 반발 당하고 전원의 -측에서는 끌어당기므로 정공은
p형에서 n형 쪽으로 이동
- 이와 같이, 순방향 전압에 의해 내부에 형성된 전기장을 약하게 함으로써 정공이나 전자는 이동
하기 쉬워져 p형에서 n형 쪽으로 전류가 흐른다.
③ 역방향 전압을 가했을 때 (n형에 +, p형에 - 전압을 가했을 때) - 정공은…(생략)
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